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MCHC908QT2MDWE  MC68HC908JL8CSPE  PR6234  MC68HC908JL8CFAE  MC68HC908QY4CDW  MC68HC908JL16CFJ  MC9S08AC32CFJE  CR6238  MC9S08QD2CSC  MC9S08DZ48MLF  
CSD17571Q2 30V N通道NexFET功率MOSFET (30V N-Channel NexFET Power MOSFETs)
.型號:   CSD17571Q2
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描述: 30V N通道NexFET功率MOSFET
30V N-Channel NexFET Power MOSFETs
文件大小 :   908 K    
頁數 : 11 頁
Logo:   
品牌   TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
購買 :   
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100%
SLPS393 - 2013年10月
30V N通道NexFET ?功率MOSFET
檢查樣品:
1
特點
低Q
g
和Q
gd
低熱阻
額定雪崩
無鉛端子電鍍
符合RoHS
無鹵
SON 2毫米×2毫米的塑料包裝
產品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
漏源極電壓
柵極電荷總數( 4.5 V )
柵極電荷柵漏
漏極至源極導通電阻
閾值電壓
30
2.4
0.6
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
1.6
24
20
V
nC
nC
V
?
?
?
?
?
?
?
2
訂購信息
設備
CSD17571Q2
SON 2毫米×2毫米
塑料包裝
媒體
7-Inch
REEL
數量
3000
磁帶和
REEL
應用
?
?
?
優化負載開關應用
存儲,平板電腦和手持設備
優化控制FET應用
絕對最大額定值
T
A
= 25°C
價值
30
±20
22
7.6
單位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
描述
這30V , 20MΩ , Son2x2 NexFET?功率MOSFET
已被設計為最小化功率損耗
轉化率和負載管理應用程序,而
對于規模提供了出色的散熱性能
該程序包。
頂視圖
D
1
D
6
D
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英鎊
E
AS
漏源極電壓
柵極至源極電壓
連續漏電流(套餐限制)
連續漏電流
功耗
工作結存儲
溫度范圍
雪崩能量,單脈沖
I
D
= 12 A,L = 0.1 mH的,R
G
= 25
Ω
漏電流脈沖,T
A
= 25°C
39
2.5
-55到150
7.2
(1) R
θJA
= 50的1in2銅(2盎司)對0.060"厚的FR4 PCB
D
2
5
D
(2)脈沖持續時間10
μs,
占空比
≤2%
G
3
S
4
S
P0108-01
50
R
DS
(
on
)
- 通態電阻(mΩ )
46
42
38
34
30
26
22
18
14
10
0
2
4
R
DS ( ON)
VS V
GS
V
GS
- 柵極 - 源極電壓( V)
T
C
= 25 ° C,I
D
= 5A
T
C
≤ 125 ° C,I
D
= 5A
柵極電荷
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2 2.5 3 3.5 4
Q
g
- 柵極電荷( NC)
4.5
5
5.5
G001
I
D
= 5A
V
DS
=15V
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 柵極 - 源極電壓(V)
18
20
G001
1
2
請注意,一個重要的通知有關可用性,標準保修,并且在關鍵的應用程序中使用
德州儀器公司的半導體產品和免責條款及其出現在此數據表的末尾。
的NexFET是德州儀器的商標。
版權所有? 2013年,德州儀器
PRODUCTION數據信息為出版日期。
產品符合占德州條款規范
儀器標準保修。生產加工過程中不
不一定包括所有參數進行測試。
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