安卓版四人麻将
電子元器件數據表 IC PDF查詢
English 中文版
  品牌   我要上傳
型號:  
描述:
MAX2207  CYM74P431PM-50C  CYM74S431PM-50  LD1117XX25  CYM74S430PM-66  LD1585CXX33  LD1201CP40  LD12-030-5  LD1117XX50  CYM74A551PM-60C  
IRFHE4250D  ()
.型號:   IRFHE4250D
PDF文件: 下載PDF文件   鼠標右鍵選目標另存為
網頁直接瀏覽   不需安裝PDF閱讀軟件
描述:
文件大小 :   531 K    
頁數 : 14 頁
Logo:   
品牌   IR [ IR ]
購買 :   
  瀏覽型號IRFHE4250D的Datasheet PDF文件第2頁 瀏覽型號IRFHE4250D的Datasheet PDF文件第3頁 瀏覽型號IRFHE4250D的Datasheet PDF文件第4頁 瀏覽型號IRFHE4250D的Datasheet PDF文件第5頁 瀏覽型號IRFHE4250D的Datasheet PDF文件第6頁 瀏覽型號IRFHE4250D的Datasheet PDF文件第7頁 瀏覽型號IRFHE4250D的Datasheet PDF文件第8頁 瀏覽型號IRFHE4250D的Datasheet PDF文件第9頁  
PDF原版 中文翻譯版  
100%
IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN
頂部外露電源模塊器件
直流 - 直流
應用提供卓越效率
2014
8
13
全球功率半導½和管理方案領導廠商 – ½際整流器公司
(International Rectifier,簡稱 IR)
推出
IRFHE4250D FastIRFET
雙功
MOSFET,藉以擴充電源模塊組件系列。新款 25V
器件在
25A
的電流下½夠比其它頂級的傳統電源模塊產品減少
5%以上
的功率損耗,適用于
12V
輸入
直流 - 直流
同步降壓應用,包括先進的電信和½絡通訊設備、服務器、顯卡、臺式電腦、超極本
(Ultrabook)
和筆記本電腦等。
IRFHE4250D
配備
IR
新一代硅技術,
并采用了適合背面貼裝的
6×6 PQFN
頂部外露纖薄封裝,
為電源模塊帶來更多封裝選擇。
這款封裝結合了出色的散熱性½、½導通電阻
(Rds(on))
與柵極電荷
(Qg),提供卓越的功率密度和較½的開關損耗,從而縮
減電路板尺寸,提升整½系統效率。
IR
亞太區銷售副總裁½大偉表示:
“高達
60A
額定值的
IRFHE4250D FastIRFET MOSFET
是全球首款頂部外露電源模塊器件,
提供行業領先的功率密度,有效滿足要求頂尖效率的高性½
直流 - 直流
應用。”
首頁 - - 友情鏈接
Copyright? 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粵公網安備 44030402000629號


粵ICP備13051289號-7
安卓版四人麻将 22选53胆全拖多少钱 小镇彩票投注站赚钱吗 江苏e球彩选4场进球 波克斗地主免费下载 快三高频彩 彩店宝彩票中奖了 快乐时时彩计划 青海11选5游戏规则 码报图库大全 重庆时时彩官方网站